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专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅(SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。

可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压(BV)，1700V NTH4L028N170M1EliteSiC MOSFET就可以提供这样的特性。NTH4L028N170M1的最大栅极至源极电压(VGS) 范围为-15V至+25V，适用于栅极电压达到-10V的快速开关应用，从而提高系统可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A测试条件下的栅极电荷 (Qg) 仅为200nC，在快速开关、大功率可再生能源应用中具有很高的效率。

NDSH25170A和NDSH10170AEliteSiC肖特基二极管的额定BV为1700V，在最大反向电压(VRRM) 和重复峰值反向电压之间具有更大的容限。这些器件还使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，并且不会影响SiC的高效率。

无论是电动汽车充电站、利用可再生能源的电网，还是高压/大电流的工业驱动应用，安森美EliteSiC都能实现出色的效率，并降低功率损耗。