东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。
想要确保工厂自动化设备的安全性和可靠性，需要隔离器件来确保绝缘并防止噪声传播。东芝提供了数字隔离器解决方案，以满足工业应用在更高速度、多通道信号通信以及高CMTI方面的要求。
(资料图)
新产品采用东芝专有的磁耦合式绝缘传输方法，可提供100kV/μs（最小值）的高CMTI[1]。这不仅实现了隔离信号通信中输入／输出间电气噪声的高容限，而且也有助于稳定的控制信号传输和设备运行。该数字隔离器具有0.8ns（典型值）的低脉宽失真[2]和150Mbps（最大值）的高速数据速率，适用于多通道高速通信应用，如用于SPI通信的I/O接口。
50年来，东芝一直为其客户提供光耦——一种通过光耦合来确保绝缘性能的隔离器件。展望未来，除了光耦之外，东芝还将扩大自身的高速四通道数字隔离器产品线，增加通道和封装的数量，并提供高质量的绝缘器件，从而为工业设备控制所需的可靠、实时数据传输提供支持。
Ø应用
- 工业自动化系统（I/O接口、可编程逻辑控制器等）
- 电机控制
- 变频器
Ø特性
- 高共模瞬态抑制：CMTI＝100kV/μs（最小值）
- 高速数据速率：tbps＝150Mbps（最大值）
- 低脉宽失真：PWD＝0.8ns（典型值）（VDD1＝VDD2＝5V）
- 四通道：正向四通道和反向零通道
正向三通道和反向一通道
Ø主要规格
器件型号 | DCL540C01 | DCL540D01 | href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/detail.DCL540L01.html" DCL540L01 | DCL540H01 | href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/detail.DCL541A01.html" DCL541A01 | DCL541B01 | |||||||
通道数 （正向:反向） | 4 （4:0） | 4 （4:0） | 4 （4:0） | 4 （4:0） | 4 （3:1） | 4 （3:1） | |||||||
默认输出逻辑 | 低 | 高 | 低 | 高 | 低 | 高 | |||||||
启用控制 | 无 | 无 | 输出 启用 | 输出 启用 | 输入 禁用 | 输入 禁用 | |||||||
封装 | SOIC16-W | ||||||||||||
绝对最大额定值 | 工作温度Topr（℃） | -40至110 | |||||||||||
存储温度Tstg（℃） | -65至150 | ||||||||||||
最大承受隔离电压（1分钟） BVS最小值（Vrms） | Ta＝25℃ | 5000 | |||||||||||
建议工作条件 | 供电电压 VDD1、VDD2（V） | 2.25至5.5 | |||||||||||
电气特性 | 共模 瞬态抑制 CMTI最小值（kV/μs） | 100 | |||||||||||
数据速率 tbps最大值（Mbps） | 150 | ||||||||||||
脉宽失真 PWD典型值（ns） | VDD1＝VDD2 ＝5V， Ta＝25℃ | 0.8 | |||||||||||
传输延迟时间 tPHL、tPLH典型值（ns） | 10.9 | ||||||||||||
库存查询与购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | |||||||
器件型号 | DCL541L/H01[3] | DCL542L/H01[3] | DCL520C/D00[3] | DCL521C/D00[3] | ||
通道数 （正向:反向） | 4 （3:1） | 4 （2:2） | 2 （2:0） | 2 （1:1） | ||
默认输出逻辑 | 低／高 | 低／高 | 低／高 | 低／高 | ||
启用控制 | 输出 启用 | 输出 启用 | 无 | 无 | ||
封装 | SOIC16-W | SOIC8 | ||||
绝对最大额定值 | 工作温度Topr（℃） | -40至110 | -40至125 | |||
存储温度Tstg（℃） | -65至150 | -65至150 | ||||
最大承受隔离电压（1分钟） BVS最小值（Vrms） | Ta＝25℃ | 5000 | 3000 | |||
建议工作条件 | 供电电压 VDD1、VDD2（V） | 2.25至5.5 | 2.25至5.5 | |||
电气特性 | 共模 瞬态抑制 CMTI最小值（kV/μs） | 100 | 100 | |||
数据速率 tbps最大值（Mbps） | 150 | 150 | ||||
脉宽失真 PWD典型值（ns） | VDD1＝VDD2 ＝5V， Ta＝25℃ | 0.8 | 0.8 | |||
传输延迟时间 tPHL、tPLH典型值（ns） | 10.9 | 10.9 | ||||
注：
[1] 测试条件：VI＝VDD或0V，VCM＝1500V，Ta＝25℃
[2] 测试条件：VDD1＝VDD2＝5V，Ta＝25℃
[3] 开发中（截至2023年5月）
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