东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”,其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。该产品于今日开始支持批量出货
。
与东芝当前的产品TLP3475S相比,TLP3476S运行速度更快、结构更紧凑。该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件(光电二极管阵列)的设计,可实现高效的光耦合,也提高了运行速度,将导通时间最大值缩短至0.25ms,时间为TLP3475S的一半。此外,由于采用了尺寸更小、外形更纤薄的S-VSON4T封装(最大厚度为1.4mm),TLP3476S的厚度比当前产品减小了20%。这有助于减少需要多个电路板的设备的尺寸。
(相关资料图)
TLP3476S适用于继电器数量多,并需要更短开关时间的半导体测试设备电路。
Ø应用
- 半导体测试设备(高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等)
- 探测卡
- 测量设备
Ø特性
- 小型S-VSON4T封装:1.45mm×2.0mm(典型值),厚度=1.4mm(最大值)
- 高速导通时间:tON=0.25ms(最大值)
Ø主要规格
(Ta=25℃)
器件型号 | TLP3476S | |||
封装 | 名称 | S-VSON4T | ||
尺寸(mm) | 1.45×2.0(典型值),厚度=1.4(最大值) | |||
绝对 最大额定值 | 断态输出端电压VOFF(V) | 60 | ||
通态电流ION(A) | 0.4 | |||
通态电流(脉冲)IONP(A) | 1.2 | |||
工作温度Topr(℃) | -40至110 | |||
耦合电气 特性 | 触发LED电流IFT(mA) | 最大值 | 3.0 | |
导通电阻RON(Ω) | 典型值 | 1.1 | ||
最大值 | 1.5 | |||
电气特性 | 输出电容COFF(pF) | 最大值 | 20 | |
开关特性 | 导通时间tON(ms) | @RL=200Ω、 VDD=20V、 IF=5mA | 最大值 | 0.25 |
关断时间tOFF(ms) | 0.2 | |||
隔离特性 | 隔离电压BVS(Vrms) | 最小值 | 500 | |
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