东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”,其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。该产品于今日开始支持批量出货

与东芝当前的产品TLP3475S相比,TLP3476S运行速度更快、结构更紧凑。该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件(光电二极管阵列)的设计,可实现高效的光耦合,也提高了运行速度,将导通时间最大值缩短至0.25ms,时间为TLP3475S的一半。此外,由于采用了尺寸更小、外形更纤薄的S-VSON4T封装(最大厚度为1.4mm),TLP3476S的厚度比当前产品减小了20%。这有助于减少需要多个电路板的设备的尺寸。


(相关资料图)

TLP3476S适用于继电器数量多,并需要更短开关时间的半导体测试设备电路。

Ø应用

- 半导体测试设备(高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等)

- 探测卡

- 测量设备

Ø特性

- 小型S-VSON4T封装:1.45mm×2.0mm(典型值),厚度=1.4mm(最大值)

- 高速导通时间:tON=0.25ms(最大值)

Ø主要规格

(Ta=25℃)

器件型号

TLP3476S

封装

名称

S-VSON4T

尺寸(mm)

1.45×2.0(典型值),厚度=1.4(最大值)

绝对

最大额定值

断态输出端电压VOFF(V)

60

通态电流ION(A)

0.4

通态电流(脉冲)IONP(A)

1.2

工作温度Topr(℃)

-40至110

耦合电气

特性

触发LED电流IFT(mA)

最大值

3.0

导通电阻RON(Ω)

典型值

1.1

最大值

1.5

电气特性

输出电容COFF(pF)

最大值

20

开关特性

导通时间tON(ms)

@RL=200Ω、

VDD=20V、

IF=5mA

最大值

0.25

关断时间tOFF(ms)

0.2

隔离特性

隔离电压BVS(Vrms)

最小值

500

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